Екатерина суханова: Суханова Екатерина Андреевна |

Содержание

Суханова Екатерина Андреевна

Aбитуриентам

TL TL ;DR: Сравнение результатов с самыми быстрыми векторизованными алгоритмами Cray Y-MP и C90 показывает, что текущее поколение параллельных машин конкурентоспособно с обычными векторными суперкомпьютерами даже для небольших задач.

Аннотация: Представлены три параллельных алгоритма классической молекулярной динамики. Первый назначает каждому процессору фиксированное подмножество атомов; второй назначает каждому фиксированное подмножество межатомных сил для вычисления; третий назначает каждому фиксированную пространственную область. Алгоритмы подходят для моделей молекулярной динамики, которые трудно распараллелить эффективно — моделей с короткодействующими силами, когда соседи каждого атома быстро меняются. Они могут быть реализованы на любой параллельной машине с распределенной памятью, которая позволяет передавать сообщения данных между независимо выполняющимися процессорами. Алгоритмы тестируются на стандартной тестовой задаче Леннарда-Джонса для систем размером от 500 до 100 000 000 атомов на нескольких параллельных суперкомпьютерах — nCUBE 2, Intel iPSC/860 и Paragon, а также Cray T3D. Сравнение результатов с самыми быстрыми векторизованными Cray Y-MP и C9.0 показывает, что текущее поколение параллельных машин конкурентоспособно с обычными векторными суперкомпьютерами даже для небольших задач. Для больших задач пространственный алгоритм обеспечивает параллельную эффективность 90 %, а процессор Intel Paragon с 1840 узлами работает на 165 быстрее, чем одиночный процессор Cray C9O. Также обсуждаются компромиссы между тремя алгоритмами и рекомендации по их адаптации к более сложным моделям молекулярной динамики.

30 апреля 2007 г. C6Yb и C6Ca. Разработан и подробно описан новый метод синтеза этих интеркалатов. Показано, что эти два материала обладают сверхпроводимостью при 6,5 К и 11,5 К соответственно. Сверхпроводимость демонстрируется измерениями намагниченности и удельного сопротивления. Первоначальные измерения сверхпроводящего перехода этих материалов в зависимости от давления показывают увеличение перехода с увеличением давления.

Резюме: Ферромагнетизм обычно возникает только в материалах, содержащих элементы, образующие ковалентные 3d- и 4f-связи. Поэтому его появление в чистом углероде удивительно и даже спорно. Систематическое исследование с помощью магнитно-силового микроскопа показывает, что ферромагнетизм в графите является результатом локализованных спинов, возникающих на границах зерен.

Abstract: Новая кристаллическая конфигурация многослойной структуры S-Mo-Se (Янус SMoSe) на пределе монослоя был синтезирован и тщательно охарактеризован в этой работе. При контролируемом осернении монослоя MoSe2 верхний слой атомов селена замещается атомами серы, а нижний слой селена остается нетронутым. Специфическая структура этого нового материала систематически исследуется с помощью комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и подтверждается с помощью просвечивающей электронной микроскопии и времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов. Расчеты по теории функционала плотности выполняются для лучшего понимания рамановских режимов колебаний и электронной структуры монослоя Janus SMoSe, которые, как установлено, хорошо коррелируют с соответствующими экспериментальными результатами. Наконец, для монослоя Януса обнаружена высокая активность реакции выделения водорода в базисной плоскости (HER), и расчет DFT подразумевает, что активность возникает из-за синергетического эффекта внутренних дефектов и структурной деформации, присущих структуре Януса.

Аннотация: Атом водорода делает графен магнитным Графен обладает многими необычными механическими и электронными свойствами, но он не является магнитным. Чтобы сделать это так, простейшая стратегия состоит в том, чтобы изменить его электронную структуру, чтобы создать неспаренные электроны. Исследователи могут сделать это, например, удалив отдельные атомы углерода или адсорбировав водород на графене. Это нужно делать очень контролируемым образом из-за особенностей кристаллической решетки графена, состоящей из двух подрешеток. Гонсалес-Эрреро и др. поместили один атом водорода поверх графена и использовали сканирующую туннельную микроскопию для обнаружения магнетизма в подрешетке, в которой отсутствует осажденный атом (см. «Перспектива» Холлена и Гупты). Наука, этот выпуск с. 437; см. также с. 415 Сканирующая туннельная микроскопия показывает, что атом водорода, нанесенный на графен, делает комплементарную подрешетку магнитной. [Также см. Перспектива Холлена и Гупты]. Предполагается, что изолированные атомы водорода, поглощенные графеном, индуцируют магнитные моменты. Здесь мы демонстрируем, что адсорбция одного атома водорода на графене индуцирует магнитный момент, характеризующийся спин-расщепленным состоянием ~ 20 миллиэлектрон-вольт при энергии Ферми. Наши эксперименты по сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), дополненные расчетами из первых принципов, показывают, что такое спин-поляризованное состояние по существу локализовано в углеродной подрешетке, противоположной той, где хемосорбирован атом водорода. Эта атомно-модулированная спиновая текстура, простирающаяся на несколько нанометров от атома водорода, обеспечивает прямую связь между магнитными моментами на необычно больших расстояниях. Используя наконечник СТМ для манипулирования атомами водорода с атомарной точностью, можно настроить магнетизм выбранных областей графена.

Datum zápisu	20. 10. 1999
Datum zániku	21. 7. 2005
Stav	Vymazáno
Obchodní firma	od 21. 3. 2001 do 21. 7. 2005 od 20. 10. 1999 do 21. 3. 2001
	Prověřit exekuceReputace фирма
ADRESA Sídla	OD 18. 2. 2000 DO 16. 2. 2002 Чески Крумлов, VyШЕГРАД — Stodůlky, Brdičkova 1918/7, PSČ 155 00
IČO	od 20. 10. 1999 do 21. 7. 2005 69072400

Právní forma

od 20. 10. 1999 до 21. 7. 2005

Технический справочник

Spisová značka

6076 A, Krajský soud v Českých Budějovicích

Předmět podnikání

od 20. 10. 1999 do 21. 7. 2005

— koupě zboží za účelem jeho dalšího prodeje Prodej

Ostatní Skutečnosti

OD 21. 7. 2005 DO 21. 7. 2005

— Podnikatelka ekaterina sukhanova se sídlem český, na vyhlídicain, 361, 361111111111111111111111111111111111111111111111.0 72 400 se vymazáva v souladu s návrhem z 21.6.2005 ke dni nabytí právní moci tohoto rozhodnutí z obchodního rejstříku včetně všech zapsaných sk utechností.

OD 20. 10. 1999 DO 12. 11. 2001

— Datum narození: 7.7.1974

OD 20. 10. 1999 DO 12. 11. 2001

— Povolení K Pobytu: V Místě Podnikání

Годноцени фирмы

Суханова Екатерина Андреевна

Екатерина Суханова биография, фильмография.

Фильмы Екатерины Сухановой

Подборки «Афиши»

Мероприятия

Суханова Екатерина Васильевна | Московский физико-технический институт | 9 публикаций | 48 Цитатов

Ekaterina Sukhanova ⇒ IČO: 69072400 — Obchodní rejstřík

69072400